25N120-ASEMI的MOS管是什么封装的

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MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路而在板卡上的电源稳压电路中,MOSFET扮演的角色主要是判断电位。

MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用目前板卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近MOS管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。

MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装MOSFET芯爿的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照***在PCB 方式来区分,MOS管葑装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的***孔焊接在PCB 上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上

TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格例如TO-92,TO-92LTO-220,TO-252等等都是插入式封装设计近年来表面贴装市场需求量增大,TO封裝也进展到表面贴装式封装

D-PAK封装的MOSFET有3个电极,栅极(G)、漏极(D)、源极(S)其中漏极(D)的引脚被剪断不用,而是使用背面的散热板作漏极(D)直接焊接在PCB上,一方面用于输出大电流一方面通过PCB散热。所以PCB的D-PAK焊盘有三处漏极(D)焊盘较大。

芯片封装流行的还是雙列直插封装简称DIP(Dual ln-line Package)。DIP封装在当时具有适合PCB(印刷电路板)的穿孔***具有比TO型封装易于对PCB布线以及操作较为方便等一些特点,其封装的结構形式也很多包括多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP引线框架式DIP等等。常用于功率晶体管、稳压芯片的封装

SOT(Small Out-Line Transistor)小外形晶體管封装。这种封装就是贴片型小功率晶体管封装比TO封装体积小,一般用于小功率MOSFET常见的规格如上。

SOP(Small Out-Line Package)的中文意思是“小外形封装”SOP是表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL

SO-8采用塑料封装没有散热底板,散熱不良一般用于小功率MOSFET。

SO-8是PHILIP公司首先开发的以后逐渐派生出TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)等標准规格。

这些派生的几种封装规格中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。

package)是表面贴装型封装之一中文叫做四边无引线扁平封装,是一种焊盘尺寸小、體积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称封装四边配置有电极接点,由于无引线贴装占有面积比QFP小,高度比QFP低这种封装也称为LCC、PCLC、P-LCC等。QFN本来用于集成电路的封装MOSFET不会采用的。Intel提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用QFN-56封装56是指在芯片背面有56个连接Pin。

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场效应管工作原理用一句话说僦是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正确地说,ID流经通路的宽度即沟道截面积,它昰由pn结反偏的变化产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和将这种状態称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡并不是电流被切断。

ASEMI全系列封装图

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